Ricercatori dell’UCB superano limite dei 5 nanometri

“L’industria dei semiconduttori è da tempo che ipotizza che qualsiasi gate sotto i 5 nanometri non avrebbe funzionato, tanto che non è mai stato preso in considerazione nulla sotto ad essi.” È l’affermazione fatta da Sujai Desay, ricercatore presso l’Università della California a Berkeley.

Tuttavia, negli ultimi anni, questa affermazione ha cominciato a suscitare i primi dubbi fino ad arrivare ad ora, in cui è stata completamente smentita. Infatti, grazie alle recentissime scoperte fatte da alcuni scienziati (sempre dell’Università della California a Berkeley) ed, ovviamente, al mondo che dovevamo scoprire sui nanotubi di carbonio, meglio noti come grafene.

Ali Javey, Jeff Bokor, Chenming Hu, Luna Kim e H.S. Philip Wong hanno realizzato un trasistor con un gate di 1 nanometro, superando il limite dei 5 nanometri imposto dalla legge di Moore. In teoria, questo potrebbe consentire di ridurre ancora di più il peso e le dimensioni di un’elettronica già alquanto sottile. È bene ricordare in ogni caso che il grafene non è l’unico materiale in uso: infatti i ricercatori dell’UCB (Università della California a Berkeley) hanno utilizzato anche il bisolfuro di molibdeno (MoS2) per raggiungere questo fenomenale risultato.

Tuttavia può sorgere un problema: infatti con l’utilizzo del silicone come unico materiale per questi ultra-piccoli transistor (ossia i dispositivi elettronici che permettono di controllare la corrente di un circuito) è che con dimensioni sotto i 5nm diventa assai difficile controllare il flusso di elettroni attraverso il materiale, senza contare che il transistor non possono essere spenti.

Ma dal momento che gli elettroni sono “pesanti” quando sono sinti attaverso il MoS2, possono essere utilizzate dei gate ancora più piccoli, con un restringimento fino ad 1 nm.

Un’ulteriore precisazione che ci pare opportuno fare è che questa è indubbiamente un’enorme scoperta, sebbene l’UCB affermi che non è la prima volta che i suoi ricercatori utilizzano grafene per creare un transistor di 1 nm. Inoltre nel 2006 alcuni scienziati coreani avevano utilizzato FinFET per creare un transistor con una lunghezza del gate di 3 Nm.

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